变容二极管参数
二极管种类区别
| 二极管种类 | 应用 | 备注 |
| 传统二极管，整流器 | 电源控制 | 可用于”转向”高电流;将交流转换为直流。通常存在于大型封装中，如 TO-220。 |
| 齐纳二极管 | 电源控制 | 可用于调节电源中的直流电压。通常发现在中型到大型封装（轴向，TO-220）。 |
| 硅抗电二极管 （SAD）， 瞬态电压抑制器 （TVS） |
过电压保护 | 可用于保护暴露于高能事件（如闪电浪涌或电路机械开关 （EFT） 的电压瞬变的电路。通常发现在中型封装（轴向，DO-214）。 |
| TVS二极管阵列 | 过电压保护 | 二极管阵列属于更广泛的硅保护阵列 （leiditech USRV05-4） 类别， 用于 ESD 保护。通常存在于小型表面安装封装中（SOIC-8、SOT-23、SC-70 等） |
| 肖特基二极管 | 电源控制 | 可用于开关模式电源所需的高频 （HF） 整流。 |
| 变容二极管 | 射频调谐 | 只有利用结电容特性的二极管的已知应用。 |
按操作特性进行比较：
| 二极管类 | 反向分解电压（VBR， VZ） | 电容 （CJ） | 应用 |
| 传统二极管，整流器 | 800-1500V | 非常高 | 交流到直流电源转换 |
| 齐纳二极管 | 高达 100V | 中到高 | 直流电源调节 |
| 硅抗成本二极管 （SAD）， | 高达 600V | 中等 | 闪电浪涌和电压瞬态保 护 |
| SIDAC二极管阵列 | 高达 50V | 低（<50pF） | 高频数据电路的ESD保护 |
器件结构说明对比：肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面，它由多数载波进行，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压（VF）的快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路中。
齐纳二极管由掺杂的P-N半导体结组成。有两种物理效应可以称为泽纳状态（泽纳效应和阿瓦兰奇效应）。当对P-N结施加低反向电压时，由于量子效应而传导，将发生泽纳效应。当大于 5.5 伏特电压反向施加到 PN 结时，产生电子孔对与晶格碰撞时，就会产生 Avalanche 效应。基于齐纳效应的齐纳二极管在电子电路中被广泛用作电压参考源。
TVS二极管由专门设计的 P-N 半导体结组成，用于浪涌保护。PN 结通常涂覆，以防止在非传导状态期间过早发生电压电弧。当发生瞬态电压事件时，TVS 二极管会使用 Avalanche 效应进行夹紧瞬态电压。TVS二极管广泛应用于电信、通用电子和数字消费市场，用于闪电、ESD和其他电压瞬态保护。
ESD代表TVS硅保护阵列。它是一系列集成的 PN 结、SSC 或其他硅保护结构，封装在多引脚结构中。ESD可用作电信、通用电子产品和数字消费市场的 ESD、闪电和 EFT 保护的集成解决方案，这些市场存在多个保护机会。例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口 ESD 保护。
